Nach der Einführung von 24-GB-DDR5-Chips durch Micron ist nun die Massenproduktion von 32-GB-DDR5-Chips und leistungsfähigeren Chips in der ersten Hälfte des Jahres 2024 an der Reihe. Dieser Fortschritt ist Teil der HBM3 Gen2 Speicherankündigung.
Der 32-GB-DDR5-Speicher von Micron wird mit dem hochmodernen 1β (1-beta)-Prozess hergestellt, der insbesondere nicht auf extremer Ultraviolettlithografie beruht. Obwohl Micron die Datenübertragungsraten für diese neuen 32-Gigabit-Blöcke nicht bekannt gegeben hat, haben sie das Potenzial, DDR5-Module mit einer erstaunlichen Kapazität von 1 TB zu entwickeln. Micron plant jedoch, im nächsten Jahr zunächst 128-GB-Module anzubieten, was ein vorsichtiges Herangehen an die maximale Speicherkapazität zeigt.
Der HBM3 Gen2-Speicher bietet eine Gesamtbandbreite von 1,2 TB/s in seiner 8-Ebenen-Stack-Konfiguration. Daher gibt Micron die maximale Kapazität für diese Generation mit 24 GB an, wobei 36-GB-Systeme möglicherweise bald eingeführt werden. Die Energieeffizienz dieses neuen Produkts hat sich im Vergleich zur Vorgängergeneration HBM2E um das 2,5-fache verbessert.
Die Roadmap von Micron sieht den HBMNex-Speicher vor, der wahrscheinlich als HBM4 bezeichnet werden wird. Dieser für 2026 erwartete Speicher der nächsten Generation verspricht eine beeindruckende Bandbreite von 2+ TB/s und unterstützt Kapazitäten von bis zu 64 GB. Diese Fortschritte sind ein Zeichen für Microns Engagement, die Grenzen der Speichertechnologie zu erweitern und die wachsenden Anforderungen von Computeranwendungen zu erfüllen.
