High-NA EUV läuft sich warm und Sie werden es im nächsten Chip spüren

Sie erleben gerade, wie die Chipfertigung an eine neue Grenze stößt, und ASML will dafür die Brücke bauen. High-NA EUV erhöht die numerische Apertur auf 0,55 und ermöglicht deutlich kleinere Strukturen mit weniger Prozessschritten. Praktisch kann das System Muster bis etwa 8 nm in einer einzigen Belichtung abbilden. Das weist direkt auf 1,4 nm Logik und DRAM unter 10 nm hin. Der Preis bleibt jedoch der harte Teil. Ein High-NA EUV System kann rund 380 Millionen Dollar kosten, daher muss jeder Käufer die Wirtschaftlichkeit beweisen, nicht nur den Ehrgeiz.

Wer zuerst springt und wer abwartet

ASML rechnet damit, dass Intel, Samsung und SK hynix die erste echte Welle anführen. Intel hat bereits im Dezember einen ASML Twinscan EXE:5200B in Betrieb genommen und verknüpft ihn mit der Intel 14A Roadmap. Samsung soll im selben Monat den ersten EXE:5200B erhalten haben und plant eine zweite Lieferung in der ersten Jahreshälfte, um Fertigung im 2 nm Umfeld zu unterstützen, darunter Exynos 2600 und mögliche Auftragsprojekte. SK hynix arbeitet seit September mit High-NA EUV und nutzt Standard EUV bereits für DRAM. Das Unternehmen plant mehrere EUV Schichten in fortschrittlichen Speicherchips. TSMC wirkt dagegen vorsichtig und will High-NA EUV für seinen 1,4 nm Knoten offenbar nicht einsetzen, vermutlich aus Kostengründen. Micron prüft Zeitpunkt und Nutzen noch, während Japans Rapidus 1,4 nm Produktion ab etwa 2029 anpeilt.

Was das für Sie bedeutet

Sie sollten damit rechnen, dass die High-NA EUV Preise und Lieferketten beeinflusst. Weniger Patterning Schritte können die Ausbeute verbessern, doch der Gerätepreis drückt zunächst auf die Waferkosten. In den Jahren 2027 bis 2028 kann eine breitere Einführung effizientere Produktion und neue Performance Sprünge bringen, gleichzeitig aber den Abstand zwischen Marktführern und dem Rest vergrößern.

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