Samsungs 900-Layer-NAND-Durchbruch könnte KI-Speicher neu definieren

Berichten zufolge hat Samsung den weltweit ersten Prototyp eines 3D-NAND-Flash-Speicherchips mit 900 Schichten entwickelt. Dies ist nicht nur eine Erhöhung der Schichtenanzahl in den Spezifikationen, sondern zeigt auch die rasanten Fortschritte in der Speicherchip-Industrie aufgrund der steigenden Anforderungen von KI-Systemen an schnellere, dichtere und effizientere Speicherchips.

Dieser Chip wurde unter Verwendung der Cell Multi-Bonding-Technologie von Samsung hergestellt. Im Wesentlichen hat Samsung zwei Schichten von 450-Lagen-Zellwafern zu einem einzigen Chip zusammengefügt.

Warum dies für den Wettlauf wichtig ist

SK hynix führt derzeit den Markt für mehrschichtige NAND-Speicher mit 321-Lagen-Chips an, während Samsung die Massenproduktion von 400-Lagen-NAND-Speichern vorbereitet. Gleichzeitig holt Chinas YMTC mit bereits in Produktion befindlichen 294-Lagen-Chips auf.

Dieser Druck ist von Bedeutung. Samsung war 2013 einst Vorreiter bei 3D-V-NAND, doch höhere Stapel brachten echte technische Probleme mit sich, darunter Waferverformung und Fehlausrichtung der Lagen. Nun nutzt das Unternehmen verbesserte Klemm- und Überlagerungskorrekturen, um diese Grenzen zu überwinden.

Unser Fazit

Die potenziellen Auswirkungen für Endnutzer reichen von kleineren Geräten und höherer Kapazität über einen geringeren Energieverbrauch in Rechenzentren bis hin zu verbesserten Fähigkeiten bei der Unterstützung von KI-Verarbeitung. Auch wenn ein 900-Lagen-NAND vielleicht noch nicht so bald für Ihren Laptop bereit sein wird, werden Entwicklungen wie diese die Zukunft Ihrer Speichertechnologien bestimmen.

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