Samsung präsentiert neue Hochleistungs-GDDR7- und HBM3E-Speicher

 Während der Memory Tech Day-Veranstaltung teilte Samsung einige Informationen über einige Speichermodelle der nächsten Generation, GDDR7 und HBM3E, mit, wobei letzteres für eine gute Integration mit KI und GPUs entwickelt wurde.

GDDR7 befindet sich schon seit einiger Zeit in der Entwicklung und wird in den Grafikkarten der nächsten Generation RTX 50 (Blackwell) und RX 8000 (RDNA 4) verwendet. Unter anderem soll der neue Speicher im Standby-Modus 50 % weniger Strom verbrauchen, obwohl Samsung nicht allzu viele Details genannt hat.

GDDR7 wird auch die PAM3-Signalisierung verwenden, die einfacher herzustellen und daher leichter zugänglich ist.

Grafikkarten mit GDDR7-Speicher werden frühestens in einem Jahr verfügbar sein und wahrscheinlich zuerst in den anspruchsvollsten Maschinen zu finden sein.

Der HBM3E ist ein weiterer Speicher der nächsten Generation, den Samsung unter dem Codenamen Shinebolt vorgestellt hat. Der Speicher kann eine Geschwindigkeit von 9,8 Gbit/s pro Kontakt mit einer Bandbreite von 1225 GB/s pro Stack erreichen, was deutlich höher ist als die Werte seiner Vorgänger. Einzelne Instanzen des Speichers können auch miteinander verbunden werden, so dass bis zu 216 GB mit einer Bandbreite von 7,35 TB erreicht werden können.