Intels ZAM-Speichertechnologie fordert alle HBM-Hersteller heraus

Kürzlich wurde bekannt, dass Intel und SoftBank den neuen ZAM-Standard (Z-Angle Memory) bereits fast fertig entwickelt haben. Die neue Technologie könnte allen HBM-Herstellern Konkurrenz machen.

Die wichtigsten Aspekte der neuen Technologie von Intel

Der ZAM-Standard wird dem neuen HBM4E sehr ähnlich sein. Die Serienproduktion der Neuheit von Intel wird jedoch nicht in naher Zukunft stattfinden, da die Entwicklung frühestens 2028–2030 abgeschlossen sein wird.

Details zu der Neuheit wurden auf dem VLSI Symposium 2026 veröffentlicht, dennoch sind die verfügbaren Informationen recht begrenzt. Es ist geplant, dass ZAM eine 9-schichtige Struktur haben wird. Ein Logikcontroller wird auf dem Hauptsubstrat angeordnet sein. Außerdem ist bekannt, dass der Hauptstapel aus 8 DRAM-Modulen bestehen wird.

Die Technologie wird aus 3 Haupt-TSV-Ebenen bestehen, die eine Hybridverbindung nutzen. Der Hauptvorteil wird eine höhere Bandbreitendichte von ~0,25 Tb/s/mm² sein. Darüber hinaus wird es einen geringeren Energieverbrauch und eine bessere Wärmeableitung geben.

ZAM unterstützt mehr als 9 Schichten mit extrem hoher Dichte und TSV-Verbindungen in jeder Schicht. Die neue Architektur ist hervorragend für KI-bezogene Aufgaben optimiert.

Wir hoffen, dass Ihnen dieser Artikel gefallen hat – was meinen Sie? Liken Sie ihn und abonnieren Sie unseren Blog, um weitere praktische Tipps und die neuesten Technologie-News von HostZealot zu erhalten.