Die Zukunft des Speichers bauen: Ein Blick in Fab2

Kioxia und Sandisk haben in Japan ihre neue Halbleiterfabrik Fab2 eröffnet, die der Produktion von 3D-NAND-Speicher der nächsten Generation gewidmet ist. Das Highlight ist ein 218-Schicht-Design, das die Speicherdichte weiter erhöht. Im Jahr 2020 galten Chips mit 96 Schichten als führend, heute sind 176 Schichten Standard in Hochleistungs-SSDs. Mit 218 Schichten verspricht Fab2 geringere Kosten pro Bit und höhere Effizienz. Dieser Speicher wird Rechenzentren, Smartphones und sogar Autos antreiben.

Intelligentere Chips und Fabriken

Fab2 steht nicht nur für dichtere Chips. Es nutzt CMOS direct bonded to Array (CBA). Anstatt die Steuerelektronik vom Speicherarray zu trennen, werden beide kombiniert. Das reduziert die Latenz und beschleunigt Arbeitslasten wie KI-Training. Für Systeme, die riesige Datenmengen über GPUs bewegen, können selbst kleine Verbesserungen entscheidend sein. Auch die Fabrik selbst setzt auf künstliche Intelligenz. KI überwacht Reinräume und sagt Wartungsbedarf voraus, um eine reibungslose Produktion sicherzustellen.

Wettbewerb und Ausblick

Kioxia, einst Teil von Toshiba, und Sandisk arbeiten seit über zwanzig Jahren zusammen. Ihre Investition wird teilweise von japanischen Subventionen unterstützt, die 2024 genehmigt wurden. Bis Mitte 2026 soll Fab2 große Produktionsmengen erreichen. Inzwischen bringen Wettbewerber eigene Innovationen auf den Markt. SK hynix liefert bereits 321-Schicht-3D-QLC-NAND mit höheren Schreibgeschwindigkeiten und besserer Energieeffizienz. Der Wettlauf um dichteren, schnelleren und effizienteren Speicher nimmt Fahrt auf, und Fab2 wird eine Schlüsselrolle spielen.