Details zu SK hynix Produkten: PCIe 7.0, GDDR7-Next und HBM5 SSDs

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20:22, 05.11.2025

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  • 2026-2028: PCIe Gen6, HBM4 und LPDDR6 SSDs
  • 2029-2031: GDDR7-Next, DDR6 und 400-Layer-NAND

Auf dem SK AI Summit 2025 hat der Speicherhersteller SK hynix eine neue Strategie für die Entwicklung seiner Technologien vorgestellt. Die nächste Generation von GDDR7-Next-Speicher und PCIe 7.0-Laufwerken wird voraussichtlich im Zeitraum 2029-2031 erscheinen. Das Unternehmen plant die Veröffentlichung von Standardprodukten und Lösungen für KI-Workload-Projekte.

2026-2028: PCIe Gen6, HBM4 und LPDDR6 SSDs

In den nächsten drei Jahren plant das Unternehmen, sich auf HBM4 mit 16-Hi-Designs und HBM4E in 12-, 8- und 16-Hi-Varianten zu konzentrieren. Darüber hinaus wird sich SK hynix auf eine kundenspezifische Version von HBM4E für eine bestimmte Kundengruppe konzentrieren.

LPDDR6 wird die Reihe der Standard-RAM-Module anführen, die auf ultradünne Laptops und mobile Geräte ausgerichtet sind. Die AI-D-Serie für KI-Aufgaben wird Folgendes umfassen:

  • LPDDR5R,
  • LPDDR5X SOCAMM2,
  • MRDIMM Gen2,
  • CXL LPDDR6-PIM 2nd generation.

Was das NAND-Segment betrifft, plant das Unternehmen die Einführung von PCIe Gen5 eSSDs mit bis zu 245 TB für den Unternehmensmarkt und cSSDs für Kundenanforderungen. Darüber hinaus wird das mobile Segment UFS 5.0-Versionen und AI-N-Produkte umfassen.

2029-2031: GDDR7-Next, DDR6 und 400-Layer-NAND

Zwischen 2029 und 2031 wird eine Generation von GDDR7-Next-Grafikspeicher mit Spitzenleistung eingeführt werden, die höhere Geschwindigkeiten als die aktuelle Version aufweist. Es ist wahrscheinlich, dass die CPU-Hersteller GDDR7 noch einige Zeit lang verwenden werden. DDR6 und 3D-DRAM sind ebenfalls zur Veröffentlichung vorgesehen.

Was die HBM-Serie betrifft, so ist die Veröffentlichung von HBM5 und HBM5E zusammen mit speziellen Modifikationen geplant. Es wird erwartet, dass die neuen Varianten Platz auf dem ASIC oder der GPU freimachen und den Stromverbrauch minimieren, indem ein Teil der Logik in die Basisschicht des Chips verlegt wird. Die Herstellung solcher Kristalle wird bereits gemeinsam mit TSMC entwickelt.

Bei NAND wird ein neues Leistungsniveau möglich sein, einschließlich 4D-NAND mit 400 Schichten. Für KI-Systeme sind neue Produkte in Vorbereitung, die einen hohen Durchsatz bieten - AI-N B und AI-N P „Storage Next“.

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